| 专利名称 | 具有连续侧墙的半导体设置及其制造方法 | 申请号 | CN201611025461.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106449641A | 公开（授权）日 | 2017.02.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;钟汇才;张严波 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 具有连续侧墙的半导体设置及其制造方法 至具有连续侧墙的半导体设置及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 公开了具有连续侧墙的半导体设置及其制造方法以及包括这种半导体设置的电子设备。根据实施例，一种半导体设置可以包括：衬底；在衬底上形成的沿第一方向延伸的多个鳍；在衬底上形成的沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个栅堆叠以及沿第二方向延伸且由电介质构成的伪栅，其中各栅堆叠与至少一个鳍相交；以及在栅堆叠的侧壁以及伪栅的侧壁上形成的侧墙，其中，在第二方向上对准的至少第一栅堆叠和第二栅堆叠的侧墙或者在第二方向上对准的至少一个栅堆叠和至少一个伪栅的侧墙一体延伸，其中，至少一些鳍的端部邻接伪栅，且与相应的侧墙的内壁实质上对准。 |
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