| 专利名称 | 一种磁电耦合异质结结构及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201610950308.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106449971A | 公开（授权）日 | 2017.02.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所;中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 刘瑶;胡凤霞;章明;沈斐然;王晶;张健;苏浩;苏艳峰;孙继荣;沈保根 | 主分类号 | H01L43/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/10(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种磁电耦合异质结结构及其制备方法和应用 至一种磁电耦合异质结结构及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种磁电耦合异质结结构及其制备方法和应用，所述异质结结构依次包括：PMN?PT单晶衬底、Ta缓冲层、NdFeB层以及Ta覆盖层。本发明的异质结结构是一种全新的以硬磁性合金做为铁磁层的多铁复合物异质结。由于兼具良好硬磁性和较强的逆磁电耦合效应，该异质结在磁记录、高灵敏磁电弱信号探测器、磁能积可调的微型永磁材料，传感器、逻辑器件、电控磁记录等方面都有潜在应用价值。 |
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