| 专利名称 | 一种SiC基沟槽型场效应晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201610859254.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106449757A | 公开（授权）日 | 2017.02.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 申占伟;张峰;赵万顺;王雷;闫果果;温正欣;刘兴昉;孙国胜;曾一平 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SiC基沟槽型场效应晶体管及其制备方法 至一种SiC基沟槽型场效应晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有p型埋层和沟槽底部n型掺杂的SiC基UMOSFET的制备方法，其特征在于，在n?漂移层(3)上外延生长形成p型埋层(4)，在p型埋层(4)上外延生长形成n?漂移层(30)，在n?漂移层(30)上外延生长形成p型基区层(5)；在主沟槽(7)底部形成n型掺杂层(900)。在反向阻断状态下，有效降低栅氧化层(10)的电场；且由于p型埋层(4)和n型掺杂层(900)的屏蔽作用，p型基区层(5)的厚度大大降低，沟道降低至0.5um以下，提升通态性能。该种SiC基UMOSFET具有较高的巴俐加优值和较低的开关损耗。本发明还提供了一种SiC基UMOSFET的结构。 |
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