| 专利名称 | 同轴式差分对硅通孔结构 | 申请号 | CN201611104001.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106449574A | 公开（授权）日 | 2017.02.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孟真;刘谋;张兴成;阎跃鹏 | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I | 专利有效期 | 同轴式差分对硅通孔结构 至同轴式差分对硅通孔结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种同轴式差分对硅通孔结构，涉及芯片封装技术领域，其通过设置外层导体屏蔽层，能够将2个分离的内层导体柱内传输的差分信号与周边信号进行完全隔离，从而提高差分信号特别是高速差分信号的传输性能。本发明的同轴式差分对硅通孔结构包括半导体硅基片和贯穿于所述半导体硅基片的硅通孔，其中，所述硅通孔的内壁紧贴有外层绝缘层，所述外层绝缘层内壁紧贴有外层导体屏蔽层，所述外层导体屏蔽层内壁紧贴有内部形成有2个分离的柱状空间的内部绝缘层，所述2个分离的柱状空间内设置有2个相互分离的用于传输1对差分信号的内层导体柱。 |
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