| 专利名称 | 高聚物纳米柱阵列、微反应室阵列的制备方法及应用 | 申请号 | CN201510434320.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106365116A | 公开（授权）日 | 2017.02.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 周小春;李飞飞 | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B3/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G01N33/00(2006.01)I;C08F120/14(2006.01)I;C08J9/26(2006.01)I | 专利有效期 | 高聚物纳米柱阵列、微反应室阵列的制备方法及应用 至高聚物纳米柱阵列、微反应室阵列的制备方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请揭示了一种高聚物纳米柱阵列、微反应室的制备方法及应用，用于解决现有技术中制备纳米级的微反应室阵列成本高，容易对被检测物造成损伤的问题。该方法包括以下步骤：提供具有纳米孔道阵列的模板，该纳米孔道阵列由分布在模板上的纳米级盲孔组成；将高聚物的单体、预聚体、溶融体中的至少一种填充于该模板内并固化成型；去除该模板，获得高聚物纳米柱阵列。 |
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