| 专利名称 | 相变存储器读出电路及其数据读取方法 | 申请号 | CN201610744117.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106356090A | 公开（授权）日 | 2017.01.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 雷宇;陈后鹏;王倩;胡佳俊;李晓云;张琪;田震;宋志棠 | 主分类号 | G11C13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储器读出电路及其数据读取方法 至相变存储器读出电路及其数据读取方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种相变存储器读出电路及其数据读取方法，所述相变存储器读出电路至少包括：预充电电压产生模块，用于预设并产生一预充电电压；控制模块，用于在接收到外部读使能信号后，产生预充电信号；预充电模块，分别与m条所述本地位线、所述预充电电压产生模块和所述控制模块连接，用于根据所述预充电信号进行预充电，将m条所述本地位线同时充电到所述预充电电压，并在所述预充电信号结束后，停止预充电；灵敏放大器模块，与所述读位线连接，用于在停止预充电后，读取所述被选中的相变存储单元中存储的数据。本发明可以达到相对较小的随机读取时间，同时也兼顾了读取的正确性和读裕度。 |
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