| 专利名称 | 一种高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体及其制备方法 | 申请号 | CN201510394667.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106319628A | 公开（授权）日 | 2017.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 任文才;徐川;陈龙;成会明 | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体及其制备方法 至一种高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及二维过渡族金属碳化物新材料及其化学气相沉积(CVD)制备领域，具体为一种高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体及其制备方法，适于制备大面积的高质量超薄二维过渡族金属碳化物。采用铜箔(上层)/过渡族金属箔片(底层)构成的双金属叠片作为生长基体，在高温下通过CVD技术催化裂解碳源生长出超薄二维过渡金属碳化物晶体，后续刻蚀掉铜基底得到超薄二维过渡族金属碳化物晶体。本发明具有制备工艺简单，产物厚度和尺寸易于调控以及适于大面积制备等特点，从而为高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体在催化、储能、耐磨涂层、透明导电薄膜、热管理以及二维超导领域的研究和应用奠定了基础。 |
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