| 专利名称 | SiGeSn材料及其制备方法 | 申请号 | CN201510355810.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106328502A | 公开（授权）日 | 2017.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张波;孟骁然;俞文杰;狄增峰;张苗 | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;C30B29/10(2006.01)I | 专利有效期 | SiGeSn材料及其制备方法 至SiGeSn材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种SiGeSn材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底包含SiGe层；向所述SiGe层内注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体；将注入后的所述衬底进行退火处理。本发明的SiGeSn材料及其制备方法相较于现有技术具有成本低廉、工艺简单、质量更好、更利于大规模生产的优点。 |
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