| 专利名称 | 抗单粒子翻转的加固SRAM电路 | 申请号 | CN201510357822.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106328189A | 公开（授权）日 | 2017.01.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 杨海钢;李天文;蔡刚 | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 专利有效期 | 抗单粒子翻转的加固SRAM电路 至抗单粒子翻转的加固SRAM电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了抗单粒子翻转的加固SRAM电路。该加固SRAM电路包括：读写模块、隔离模块、上拉模块和下拉模块。读写模块，用于在字线信号WL为高电平时，对第三节点n3和第四节点n4的数据读出/写入。隔离模块包括：第一隔离单元和第二隔离单元。上拉模块包括：第一上拉单元和第二上拉单元。下拉模块包括：第一下拉单元和第二下拉单元。本发明通过上述四个模块的协同工作，在保证抗单粒子翻转能力的同时保持较快的读写速度，较短的翻转恢复时间以及较低的功耗。 |
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