| 专利名称 | 基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置 | 申请号 | CN201610840597.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106282963A | 公开（授权）日 | 2017.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘文柱;陈仁芳;吴卓鹏;张丽平;孟凡英;刘正新 | 主分类号 | C23C16/24(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/24(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 专利有效期 | 基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置 至基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于磁场干扰等离子体的非晶硅生长方法及装置，生长方法包括以下步骤：1）提供沉积衬底及磁场生成单元，将所述沉积衬底置于所述磁场生成单元生成的磁场内，且保证所述磁场生成单元生成的磁场与所述沉积衬底的表面相平行；2）将所述沉积衬底及所述磁场生成单元置于反应室内，采用化学气相沉积法在所述沉积衬底表面形成非晶硅。在非晶硅生长过程中，通过引入与沉积衬底表面相平行的磁场，磁场可以偏转反应气体中的高速带电粒子，降低所述高速带电粒子对非晶硅生长表面的刻蚀，实现了非晶硅生长速率的大幅提升；同时，非晶硅的微观结构、带隙和折射率与不加磁场干扰时一致。 |
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