| 专利名称 | 互补型阻变存储器及其非破坏性读取方法 | 申请号 | CN201510296444.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106299109A | 公开（授权）日 | 2017.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 杜刚;李涛;王超;曾中明;张宝顺 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 互补型阻变存储器及其非破坏性读取方法 至互补型阻变存储器及其非破坏性读取方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种互补型阻变存储器，包括两个结构相同的反串联连接的电化学金属化存储单元；电化学金属化存储单元包括依次叠层设置的活性电极层、阻变材料层和惰性电极层；其中，当电化学金属化存储单元处于高阻态时，向活性电极层施加“读”偏压，电化学金属化存储单元处于高阻态与低阻态之间的易失电阻态；当撤销“读”偏压，电化学金属化存储单元由易失电阻态自动恢复为高阻态；“读”偏压介于第一正向阈值偏压与第二正向阈值偏压之间。本发明还公开了上述互补型阻变存储器的非破坏性读取方法。根据本发明的互补型阻变存储器利用单个高阻态的电化学金属化存储单元在适当电压下的易失性特性，并以该特征作为本征的选通器件，实现非破坏性读取。 |
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