压缩感知CMOS图像传感器的量化求和电路

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专利名称 压缩感知CMOS图像传感器的量化求和电路 申请号 CN201610664911.3 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN106303313A 公开(授权)日 2017.01.04 申请(专利权)人 中国科学院上海高等研究院 发明(设计)人 汪辉;叶汇贤;汪宁;章琦;田犁;黄景林;曹虎 主分类号 H04N5/374(2011.01)I IPC主分类号 H04N5/374(2011.01)I;H04N5/3745(2011.01)I 专利有效期 压缩感知CMOS图像传感器的量化求和电路 至压缩感知CMOS图像传感器的量化求和电路 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明提供一种压缩感知CMOS图像传感器的量化求和电路,包括:像素采样电路、高位量化求和电路与低位精细量化电路;所述像素采样电路用于依次对压缩感知CMOS图像传感器所选定的像素进行采样;所述高位量化求和电路用于对采样电路输出的采样电压进行求和量化,输出最终的量化结果的高位,并产生一个剩余电压;所述低位量化求和电路用于对所述剩余电压进行求和量化,输出最终的量化结果的低位。本发明采用高位量化求和电路及低位量化求和电路两级结构,并采用流水线式的工作方式,使得低位量化求和电路精细量化过程不占据额外的系统时间。另外,本发明可以使低位量化求和电路输入电压始终处于非负状态,大大扩展了本发明的应用范围。

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