负载Pt的晶化的氧化锰纳米片材料及其制备方法和应用

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专利名称 负载Pt的晶化的氧化锰纳米片材料及其制备方法和应用 申请号 CN201610744305.2 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN106268799A 公开(授权)日 2017.01.04 申请(专利权)人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 王敏;阚晓天;张玲霞;施剑林 主分类号 B01J23/656(2006.01)I IPC主分类号 B01J23/656(2006.01)I;B01D53/86(2006.01)I;B01D53/72(2006.01)I;B01D53/44(2006.01)I 专利有效期 负载Pt的晶化的氧化锰纳米片材料及其制备方法和应用 至负载Pt的晶化的氧化锰纳米片材料及其制备方法和应用 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及负载Pt的晶化的氧化锰纳米片材料及其制备方法和应用,所述负载Pt的晶化的氧化锰纳米片材料包含具有层状晶体结构的δ?MnO2纳米片以及分散于所述δ?MnO2纳米片中的金属?Pt,所述金属Pt的负载量为1~5?wt%;所述δ?MnO2纳米片中Mn的价态为Mn4+、Mn3+和Mn2+,其中Mn4+占Mn的总含量的30~45%。本发明中所述的晶化的氧化锰纳米片材料具有层状晶体结构的δ?MnO2纳米片,且含有多重锰价态(Mn2+、Mn3+?及?Mn4+),其较高含量(Mn4+占Mn的总含量的30~45%)的Mn4+将在氧化乙烯时起到关键作用。

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