| 专利名称 | 一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法 | 申请号 | CN201610868474.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106298886A | 公开（授权）日 | 2017.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王盛凯;李跃;刘洪刚;孙兵;常虎东;龚著靖 | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法 至一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法。所述垂直集成双栅MOSFET结构相比传统平面MOSFET结构，采用具有高电子迁移率/高空穴迁移率的III?V族半导体材料作为沟道材料；采用双栅结构有效提高了MOSFET器件的栅控能力，减小了短沟道效应等的影响；垂直方向集成NMOS和PMOS，增加了单位晶圆面积上器件的集成度；采用垂直通孔实现垂直方向的器件互联，有效减小互联引线的长度，提升器件工作速度。本发明所提供的垂直集成双栅MOSFET结构在后摩尔时代CMOS集成技术和高性能III?V族半导体器件方面具有重要的应用价值。 |
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