| 专利名称 | 半导体器件的制造方法 | 申请号 | CN201510271246.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106298665A | 公开（授权）日 | 2017.01.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王桂磊;刘金彪;李俊峰;赵超 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件的制造方法 至半导体器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上具有去除伪栅后形成的开口；采用ALD工艺，在开口中填充金属钨的顶层金属，前驱气体为硅烷或硼烷与六氟化钨，以及对NMOS器件区域的顶层金属，进行非晶化注入。本发明的方法提高了PMOS器件沟道的载流子迁移率，增强了PMOS器件的性能，并使得NMOS器件的顶层金属的张应力减小，保证NMOS器件的性能。 |
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