| 专利名称 | 半导体设置及其制造方法及包括该设置的电子设备 | 申请号 | CN201610872145.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106252352A | 公开（授权）日 | 2016.12.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体设置及其制造方法及包括该设置的电子设备 至半导体设置及其制造方法及包括该设置的电子设备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 公开了一种半导体设置及其制造方法及包括该设置的电子设备。根据实施例，半导体设置可以包括依次叠置在衬底上的第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件和第二半导体器件各自均可以包括：依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，沟道层包括与第一、第二源/漏层不同的半导体材料；以及绕沟道层的外周形成的栅堆叠。 |
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