| 专利名称 | 硅基横向注入激光器及其制备方法 | 申请号 | CN201610836551.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106229813A | 公开（授权）日 | 2016.12.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 刘智;成步文;李传波;薛春来;王启明 | 主分类号 | H01S5/223(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/223(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基横向注入激光器及其制备方法 至硅基横向注入激光器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种硅基横向注入激光器及其制备方法，该硅基横向注入激光器，包括：一硅衬底，该硅衬底上面的中间制作有波导沟槽，该硅衬底上面波导沟槽的两侧形成有p型掺杂区和n型掺杂区；一二氧化硅窗口层，其制作在硅衬底的部分表面，该二氧化硅窗口层对应所述p型掺杂区和n型掺杂区的上面分别开有侧窗口；一条形波导，生长在硅衬底的波导沟槽中；一绝缘介质层，其制作在条形波导的表面，以及覆盖二氧化硅窗口层的表面；一p电极，其制作在p型掺杂区上的二氧化硅窗口层的一侧窗口内；一n电极，其制作在n型掺杂区上的二氧化硅窗口层的另一侧窗口内。本发明可以提高其与硅CMOS工艺的兼容性。 |
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