| 专利名称 | 利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法 | 申请号 | CN201610527875.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106209003A | 公开（授权）日 | 2016.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 欧欣;黄凯;贾棋;张师斌;游天桂;王曦 | 主分类号 | H03H3/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H03H3/02(2006.01)I;H03H9/02(2006.01)I | 专利有效期 | 利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法 至利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种利用薄膜转移技术制备薄膜体声波器件的方法，包括：1）提供氧化物单晶衬底；2）自注入面向所述氧化物单晶衬底内进行离子注入，而后在注入面形成下电极；或在注入面形成下电极，而后自注入面向氧化物单晶衬底内进行离子注入；3）提供支撑衬底，将步骤2）得到的结构与支撑衬底键合；4）沿缺陷层剥离部分氧化物单晶衬底，得到氧化物单晶薄膜，氧化物单晶薄膜及下电极转移至支撑衬底上；5）腐蚀支撑衬底以形成空腔；6）在氧化物单晶薄膜表面形成上电极。本发明提供一种新的方法制备金属电极?单晶氧化物?金属电极的薄膜体声波滤波器核心结构，有效解决金属电极间无法制备单晶氧化物的问题。 |
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