| 专利名称 | 降低注入损伤实现增强型HEMT器件的方法及增强型HEMT器件 | 申请号 | CN201510229392.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106206695A | 公开（授权）日 | 2016.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 于国浩;张志利;蔡勇;张宝顺;付凯;孙世闯;宋亮 | 主分类号 | H01L29/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/66(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 专利有效期 | 降低注入损伤实现增强型HEMT器件的方法及增强型HEMT器件 至降低注入损伤实现增强型HEMT器件的方法及增强型HEMT器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种降低注入损伤实现增强型HEMT器件的方法，其包括：至少提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构，其中，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结构内还分布有二维电子气；以及在所述第二半导体上的选定区域分两次以上进行离子注入形成离子注入区，且至少在选定的一次离子注入完成后，还对器件进行退火处理，将离子注入带来的器件损伤修复；所述离子注入区分布于栅电极下方并位于第一半导体上方，用以耗尽栅下的二维电子气。本发明还公开了一种增强型HEMT器件。本发明可以有效的实现增强型HEMT器件，并且器件的阈值电压可以通过注入的离子剂量而调节，制作工艺简单、重复性好，适合工业化生产。 |
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