| 专利名称 | 一种LC-VCO的仿真方法及系统 | 申请号 | CN201510214130.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106202591A | 公开（授权）日 | 2016.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王海永;霍允杰;陈岚 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种LC-VCO的仿真方法及系统 至一种LC-VCO的仿真方法及系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种LC-VCO的仿真方法，包括：分别获得LC-VCO仿真器模型的NMOS器件和PMOS器件的跨导效率gm/Id与器件参数的关系曲线；设定初始跨导效率(gm/Id)0；根据关系曲线，获得NMOS器件在(gm/Id)0+△n下的N器件电性参数值，获得PMOS器件在(gm/Id)0-△n下的P器件电性参数值；分别获得N器件电性参数值和P器件电性参数值下的器件参数值；以所述器件参数值进行电路等效模型的仿真，获得仿真结果；判断是否进行迭代。该方法使得低频偏处的相位噪声获得最优值，从而改善低频偏出的相位噪声。 |
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