| 专利名称 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 | 申请号 | CN201610794235.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106206323A | 公开（授权）日 | 2016.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 宋凌云;申华军;汤益丹;邓小川;白云;郭飞;柏思宇 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 专利有效期 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 至碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。本发明通过离子注入在第三P阱区形成温度传感器P+离子注入区及温度传感器N+离子注入区，温度传感器P+离子注入区及温度传感器N+离子注入区形成PN结二极管。通过在碳化硅VDMOS器件P阱中集成PN结温度传感器，实现了碳化硅器件内部温度的即时检测，并且可以应用于高温时的温度检测，消除了传感器对于碳化硅VDMOS反向耐压的影响，最小化了版图开销，和现有的VDMOS制作工艺有良好的兼容性。 |
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