| 专利名称 | GaN增强型器件制备方法及形成的GaN增强型器件 | 申请号 | CN201610561741.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106206295A | 公开（授权）日 | 2016.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘新宇;康玄武;王鑫华;黄森;魏珂 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 专利有效期 | GaN增强型器件制备方法及形成的GaN增强型器件 至GaN增强型器件制备方法及形成的GaN增强型器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种GaN增强型器件制备方法及形成的GaN增强型器件，GaN增强型器件制备方法采用在含有P型GaN的外延片上采用与CMOS工艺相兼容的工艺形成栅极、源极及漏极。该GaN增强型器件制备工艺与CMOS工艺相兼容，从而可以实现大批量，低成本的增强型电力电子开关器件生产与制备。 |
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