| 专利名称 | 多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201510225006.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106191770A | 公开（授权）日 | 2016.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所;航天材料及工艺研究所 | 发明（设计）人 | 曾志翔;刘二勇;周军;范锦鹏;乌学东;曹慧军 | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I | 专利有效期 | 多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用 至多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种多孔氮化硅基封孔涂层及其制备方法与应用。在一实施例之中，该方法包括：选择单晶硅靶为阴极，在氮气气氛下利用磁控溅射沉积技术制备氮化硅封孔涂层，随后采用一定的热处理工艺进行高温烧结，然后利用疏水改性剂进行疏水处理，从而获得多孔氮化硅基封孔涂层，该封孔涂层与多孔氮化硅基材的结合性良好，且具有结构致密、厚度可控、高硬度、低内应力、无宏观缺陷和高透波性等优势，可应用于多种领域。本发明通过多种技术相复合制备氮化硅基封孔涂层，获得了具有优良综合性能的氮化硅基封孔涂层，因而可以实现对多孔氮化硅基体的有效防护。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障