| 专利名称 | 一种鳍式场效应晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201610663545.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106206318A | 公开（授权）日 | 2016.12.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王桂磊;崔虎山;殷华湘;秦长亮;李俊峰;赵超 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种鳍式场效应晶体管及其制备方法 至一种鳍式场效应晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种鳍式场效应晶体管及其制备方法，利用所述鳍式场效应晶体管的制备方法制备FinFET器件时，通过先形成硅鳍部和隔离部，然后原位刻蚀硅鳍部，以为硅锗鳍和锗鳍的形成预留空间；最后通过外延生长依次形成硅锗鳍和锗鳍。由于所述硅锗鳍在所述硅衬底与所述锗鳍之间，起到了应变缓冲层的作用，减少了锗与硅之间的晶格失配程度，从而为锗鳍的形成建立前提条件，避免直接将锗材料填入所述隔离部之间的小尺寸缝隙中而出现锗无法将缝隙填满而使得锗鳍存在形态缺陷，进而使得FinFET器件出现可靠性下降的情况出现。 |
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