| 专利名称 | 具有抗单粒子翻转功能的SRAM存储单元及存储器 | 申请号 | CN201510154890.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106158010A | 公开（授权）日 | 2016.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 杨海钢;李天文;蔡刚 | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 专利有效期 | 具有抗单粒子翻转功能的SRAM存储单元及存储器 至具有抗单粒子翻转功能的SRAM存储单元及存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种具有抗单粒子翻转功能的SRAM存储单元。该SRAM存储单元包括：存储单元本体和加固电路。其中，存储单元本体包括：第一反相器，其具有第二存储节点；第二反相器，其具有第一存储节点。加固电路包括：偏置电压控制单元；第一延时单元，连接于第一反相器和第一存储节点之间；第二延时单元，连接于第二反相器和第二存储节点之间；其中，所述偏置电压控制单元为第一延时单元和第二延时电压提供偏置电压，令两者的延时大于单粒子瞬态的脉冲宽度。本发明中，延时单元延时越大，修改加固存储单元所需的电平扰动时间越大，越不容易因单粒子效应引起存储数据错误，实现高抗单粒子翻转能力。 |
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