| 专利名称 | 一种沟槽淀积表面形貌仿真的方法及系统 | 申请号 | CN201510158767.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106156384A | 公开（授权）日 | 2016.11.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐勤志;陈岚 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种沟槽淀积表面形貌仿真的方法及系统 至一种沟槽淀积表面形貌仿真的方法及系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种沟槽淀积表面形貌仿真的方法，通过对仿真窗口的划分，获得仿真窗口内沟槽图形的等效参数；根据入射粒子淀积体积与等效沟槽表面积的线性关系，获得仿真窗口内的实际淀积体积；并根据淀积后沟槽图形的几何关系和等效参数，获得仿真窗口内的等效淀积体积；实际淀积体积与等效淀积体积为淀积体积的不同表达方式；通过等效淀积体积和表面高度的几何关系，即可获得淀积表面高度，并可进行全芯片铝栅表面淀积高度形貌仿真，不但能保持较高的模型精度，而且能显著提高仿真速度，是速度和精度的有效结合，可以满足芯片级PVD和CMP工艺仿真精度和计算速度的要求。 |
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