| 专利名称 | 一种用于光生阴极保护的NiSe2/TiO2复合纳米管阵列膜及其制备和应用 | 申请号 | CN201610709737.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106119858A | 公开（授权）日 | 2016.11.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院海洋研究所 | 发明（设计）人 | 王秀通;韦秦怡;张巧霞;李红;李鑫冉;侯保荣 | 主分类号 | C23F13/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23F13/08(2006.01)I;C25D9/04(2006.01)I;C25D11/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于光生阴极保护的NiSe2/TiO2复合纳米管阵列膜及其制备和应用 至一种用于光生阴极保护的NiSe2/TiO2复合纳米管阵列膜及其制备和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种复合纳米管光阳极，尤其是涉及一种用于光生阴极保护的NiSe2/TiO2复合纳米管阵列膜及其制备和应用。复合纳米管阵列膜的平均管径为60?70纳米，管厚为1.7?2微米；其中，NiSe2颗粒通过循环伏安电沉积的方法被修饰在TiO2基体纳米管管口周围。本发明材料与304不锈钢藕连可明显降低其腐蚀电位，具有实验操作简单易行，产品安全可靠、光电转换效率高、性能稳定的特点。 |
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