| 专利名称 | 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 | 申请号 | CN201610542757.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106129113A | 公开（授权）日 | 2016.11.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孙博韬;王立新;单尼娜 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 专利有效期 | 一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 至一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：衬底、P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，栅极包括：第一栅极和第二栅极，第二栅极位于第一栅极和衬底之间；第一栅极与第二栅极之间的栅氧化层厚度为第一厚度；第二栅极与衬底之间的栅氧化层厚度为第二厚度；其中，所述第二栅极通过开关与刷新结构连接，以能将所述第二栅极刷新至初始电位。本发明提供的晶体管，用以解决现有技术中的VDMOS需要较厚的栅氧化层厚度来满足电压要求，但较厚的栅氧化层会加速器件受到辐照时阈值电压的漂移，导致的易出现阈值电压漂移失效的技术问题。实现了减缓阈值电压漂移，提高可靠性的技术效果。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障