| 专利名称 | 一种碳化硅基复相压敏陶瓷材料及其制备方法 | 申请号 | CN201610414390.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106083058A | 公开（授权）日 | 2016.11.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈健;陈军军;黄政仁;陈忠明;刘学建 | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/634(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碳化硅基复相压敏陶瓷材料及其制备方法 至一种碳化硅基复相压敏陶瓷材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种碳化硅基复相压敏陶瓷材料及其制备方法，所述碳化硅基复相压敏陶瓷材料包括碳化硅基体材料和ZrB2第二相材料，所述ZrB2第二相材料的含量≤18wt%，优选为2～18wt%。综上本发明制备的SiC基复相压敏陶瓷材料通过伏安特性测试，表现为明显的非线性压敏特性。其具有特殊的应用价值，有望作为在超高温、强酸强碱等苛刻环境下运行的电子元件。本发明所述方法为常压烧结，可以制备不同形状和尺寸的结构陶瓷。 |
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