| 专利名称 | 基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法 | 申请号 | CN201610443677.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106058639A | 公开（授权）日 | 2016.10.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 许俊杰;梁松;朱洪亮 | 主分类号 | H01S5/065(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/065(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法 至基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法。所述方法包括：1.选区外延掩模设计；2.选取外延掩模图形制作；3.选区外延；4.激光器腔体结构制作；5.电隔离制作；6.电极制作；7.解理得到管芯激光器。本发明通过一次选区外延同时定义锁模激光器的增益区、饱和吸收区和有源无源腔比例，通过碰撞锁模的原理压缩脉冲宽度、提高锁模频率，通过无源外腔的技术降低脉冲重频的时域抖动，最终实现窄脉冲的稳定重频(按应用需求可高可低)输出。 |
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