| 专利名称 | 单芯片硅集成三轴高频宽高冲击加速度计及其制作方法 | 申请号 | CN201610703474.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106053881A | 公开（授权）日 | 2016.10.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李昕欣;邹宏硕;王家畴 | 主分类号 | G01P15/08(2006.01)I | IPC主分类号 | G01P15/08(2006.01)I | 专利有效期 | 单芯片硅集成三轴高频宽高冲击加速度计及其制作方法 至单芯片硅集成三轴高频宽高冲击加速度计及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种单芯片硅集成三轴高频宽高冲击加速度计及其制作方法。通过使用一对质量块、第一直拉直压梁、第二直拉直压梁、第一连接板及第二连接板的组合作为Z轴微机械敏感结构单元，将垂直表面Z轴加速度引起的结构形变转化为易于检测的表面内直拉直压梁的拉压，解决了目前垂直表面Z轴加速计不能同时获得高灵敏度及高谐振频率这一问题。综合考虑晶向对各向异性腐蚀、压阻系数等影响，优化结构布局，实现了小芯片上三轴高频宽高冲击加速度计的集成。提供了一套可靠的制作方法，使加速度计同时具备工艺简单、制造成本低廉、芯片尺寸小、结构强度高、适于批量生产等优势。 |
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