| 专利名称 | 一种电阻随机存储器及其制备方法 | 申请号 | CN201510125646.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106033792A | 公开（授权）日 | 2016.10.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 高建峰;赵超;李俊峰 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电阻随机存储器及其制备方法 至一种电阻随机存储器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种电阻随机存储器的制备方法，提供衬底；在衬底上形成电极过孔，至少部分电极过孔为底电极；沉积介质层，并在所述介质层中、电极过孔之上形成大马士革通孔；在底电极之上的通孔内依次形成阻变材料层及顶电极。利用本发明的方法实现将电阻随机存储器集成到集成电路上，能有效提升集成度，并减少存储器单元制备及互连的工艺步骤以降低存储成本。 |
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