| 专利名称 | 调控材料载流子浓度的方法、场效应晶体管和制造方法 | 申请号 | CN201610585699.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106024901A | 公开（授权）日 | 2016.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 陈仙辉;雷彬 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I;G01R27/02(2006.01)I | 专利有效期 | 调控材料载流子浓度的方法、场效应晶体管和制造方法 至调控材料载流子浓度的方法、场效应晶体管和制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种调控材料载流子浓度的方法、场效应晶体管和制造方法，该制备携带被调材料的场效应晶体管的步骤，其中，衬底、在衬底上生长的被调材料薄膜或者转移到衬底上的被调材料薄层、在衬底的被调材料薄膜或薄层上设置的源电极和漏电极、以及在衬底的另一面上设置的栅电极，其中，衬底为固体离子导体。将场效应晶体管放在设定环境中，在其栅电极和源电极之间加上电压，对被调材料的载流子浓度进行调控。根据本发明的方法，克服了固态氧化物或液态电解质作为栅介质的晶体管调控材料载流子浓度方法的局限，具有更大的击穿电场。对于层状具有范德瓦尔斯力的材料，能调节材料整体的载流子浓度，甚至可以获得新结构材料。 |
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