| 专利名称 | 一种表面等离子体共振传感芯片及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201610295064.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106018347A | 公开（授权）日 | 2016.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 崔大付;陈兴;张璐璐;徐春方;李亚亭;任艳飞 | 主分类号 | G01N21/552(2014.01)I | IPC主分类号 | G01N21/552(2014.01)I | 专利有效期 | 一种表面等离子体共振传感芯片及其制备方法和应用 至一种表面等离子体共振传感芯片及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种表面等离子体共振传感芯片及其制备方法和应用。该制备方法包括：(1)清洗玻璃基片后烘干；(2)制备铬膜，再在铬膜上制备金膜，得裸金芯片；(3)滴加含改性牛血清白蛋白的溶液，使铺满整个芯片，继续滴加直至浸泡整个芯片，密封振荡反应0.5～2小时后清洗干燥；(4)滴加NHS和EDC的混合溶液，使铺满整个芯片，继续滴加直至浸泡整个芯片，密封振荡反应15分钟～1小时后清洗干燥；(5)滴加溴乙酸溶液，使铺满整个芯片，继续滴加直至浸泡整个芯片，密封振荡反应8～24小时后清洗干燥，得空白芯片。本发明的制备方法只需2天即可完成，且得到的芯片比传统葡聚糖芯片(需要5天制备)具有更好的均匀性。 |
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