| 专利名称 | 一种静电保护结构 | 申请号 | CN201610566061.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106024762A | 公开（授权）日 | 2016.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孙博韬;王立新;张彦飞 | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/60(2006.01)I | 专利有效期 | 一种静电保护结构 至一种静电保护结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种静电保护结构，设置于需要进行静电保护的器件的两个极之间，包括：外延层；两个第一阱区，位于所述外延层的表层；所述两个第一阱区中分别设置有一个第二阱区，共两个第二阱区；所述两个第二阱区分别与所述两个极接触；所述两个极之间设置有隔离氧化层，以在隔离所述两个极的同时，保护所述静电保护结构的表面；其中，所述外延层和所述两个第二阱区均为第一掺杂类型；所述两个第一阱区为第二掺杂类型。本发明提供的结构，用以解决现有技术中的ESD保护结构，存在的只具有单向阻断能力，不适用于功率器件的技术问题。提供了一种具有双向ESD防护能力，且与大部分功率器件制造工艺兼容的ESD保护结构。 |
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