| 专利名称 | 一种半导体场效应晶体管及其制造方法 | 申请号 | CN201610562559.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106024899A | 公开（授权）日 | 2016.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孙博韬;王立新;张彦飞 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体场效应晶体管及其制造方法 至一种半导体场效应晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体场效应晶体管及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底上的第一部分区域形成掩膜层；以掩膜层为掩蔽依次在半导体衬底中形成阱区、源极区和生长出局部硅氧化层；去除掩膜层；依次形成栅氧层和多晶硅层，以获得半导体场效应晶体管。本发明有效解决了现有后栅氧工艺制造的VDMOS的开通延迟时间会比较长的技术问题，进而减少了后栅氧工艺制造半导体场效应晶体管的开通延迟时间，以有效提高了后栅氧工艺的VDMOS的质量。 |
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