| 专利名称 | 二维光子准晶宽区半导体激光器结构 | 申请号 | CN201610563190.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN106025797A | 公开（授权）日 | 2016.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 贾志伟;王利军;张锦川;刘峰奇;刘俊岐;王占国 | 主分类号 | H01S5/223(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/223(2006.01)I | 专利有效期 | 二维光子准晶宽区半导体激光器结构 至二维光子准晶宽区半导体激光器结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种二维光子准晶宽区半导体激光器结构，包括：一衬底；一下波导；一下限制层；一有源区；一上限制层；一上波导；一接触层；一钝化层；一正面电极；一背面电极；一制作于上限制层的二维光子准晶阵列，从接触层到下波导刻蚀出条形宽区台面，钝化层包覆整个台面并在台面顶端开出电注入窗口，上电极在钝化层之上，在电注入窗口区域与接触层形成欧姆接触用于电注入，同时为有源区提供散热通道；背面电极与衬底形成欧姆接触，用于另一极电注入。 |
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