| 专利名称 | 一种栅极及其形成方法 | 申请号 | CN201510048272.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105990403A | 公开（授权）日 | 2016.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张青竹;殷华湘;闫江;李俊峰;杨涛;刘金彪;徐秋霞 | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种栅极及其形成方法 至一种栅极及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种栅极的形成方法，包括：在栅介质层上形成单层且掺杂的金属功函数调节层，以使得目标功函数介于金属功函数层与掺杂的粒子的功函数之间；在金属功函数调节层上形成其他栅极层。该方法易于进行阈值电压的调节，且工艺简单，无需通过多层金属栅极来实现，降低了制造成本。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障