| 专利名称 | 光电子器件及其制作方法 | 申请号 | CN201510071944.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105990475A | 公开（授权）日 | 2016.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 张瑞英 | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 光电子器件及其制作方法 至光电子器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种光电子器件，包括基础衬底、形成于所述基础衬底上的具有高深宽比的介质结构、高深宽比介质结构内的大失配异质半导体材料以及覆盖于正面和背面的电极，其中,所述光电子器件的大失配异质半导体材料至少包括无应变缓冲层、芯层和包覆层均位于所述介质结构的沟槽内，且所述半导体材料不突出于所述介质结构的顶面。此外，该器件结构还包括位于介质沟槽内或者沟槽上的电极接触层以及正面和背面电极。本发明可以完全将失配材料和基础衬底之间的失配位错被介质结构捕获，且光电子器件的半导体材料生长在介质结构内，晶体质量高。 |
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