| 专利名称 | 一种用于半导体快速退火的加热装置及控制方法 | 申请号 | CN201510101238.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105990188A | 公开（授权）日 | 2016.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 董旭;崔志国;熊敏;李华 | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H03K3/017(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于半导体快速退火的加热装置及控制方法 至一种用于半导体快速退火的加热装置及控制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于半导体快速退火的加热装置及控制方法，包括电源模块、整流滤波模块、IGBT模块、PWM信号驱动模块、加热灯管组和计算机控制系统；所述电源模块与所述整流滤波模块连接；其中，IGBT模块包含输入端口、控制端口和输出端口，整流滤波模块连接IGBT模块的输入端口，PWM信号驱动模块连接IGBT控制端口，通过计算机控制系统控制PWM信号驱动模块，用于控制IGBT导通与关闭时间，从而调节加热灯管的加热功率；加热灯管组连接到IGBT输出端口，用于装置加热。本发明提供的一种用于半导体快速退火的加热装置及控制方法，可以有效地抑制了在快速升温过程中出现的过冲现象，实现稳定升温，同时避免频闪带来加热的不稳定性，实现延长灯管使用寿命的目的。 |
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