| 专利名称 | 非挥发性阻变存储器件及其制备方法 | 申请号 | CN201510061920.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105990519A | 公开（授权）日 | 2016.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘琦;刘明;孙海涛;吕杭炳;龙世兵;瑞塔姆·白纳吉;张康玮 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 非挥发性阻变存储器件及其制备方法 至非挥发性阻变存储器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种非挥发性阻变存储器，包括惰性金属电极、阻变功能层、易氧化金属电极，其特征在于：在易氧化金属电极与阻变功能层之间插入含多个纳米孔的石墨烯阻挡层，能够控制器件编程过程中易氧化金属电极的金属氧化后，形成的金属离子只能通过多个纳米孔的位置进入到阻变功能层中。依照本发明的非挥发性阻变存储器件及其制造方法，在易氧化金属电极与阻变功能层之间增加含有纳米孔的石墨烯插层结构，阻挡金属离子的扩散，使得器件在编程过程中易氧化金属电极中形成的金属离子只能通过纳米孔的位置处进入到阻变功能层，从而控制导电细丝生长位置。 |
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