| 专利名称 | 一种使石墨烯与金属基底之间绝缘的方法 | 申请号 | CN201510081215.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105986226A | 公开（授权）日 | 2016.10.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张勇;王业亮;高鸿钧 | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/06(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I | 专利有效期 | 一种使石墨烯与金属基底之间绝缘的方法 至一种使石墨烯与金属基底之间绝缘的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种使石墨烯与金属基底之间绝缘的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在金属基底上制备石墨烯；2)将所述石墨烯加热并维持；3)将硅沉积到所述石墨烯表面，同时进行插层，进入所述石墨烯和所述基底之间；4)降温。本发明对室温下沉积硅、高温退火的方法进行了改进，高温下沉积硅同时进行插层，这样提高了插硅的效率，避免原有方法硅原子在石墨烯表明可能形成较大团簇的缺陷，有利于增加硅插层厚度及提高插层后石墨烯的质量，进而使石墨烯与基底之间绝缘，保持了石墨烯的良好品质。 |
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