| 专利名称 | 碳量子点负载的SnS2纳米片、其制备方法及应用 | 申请号 | CN201610293108.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105964276A | 公开（授权）日 | 2016.09.28 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 何军;程中州 | 主分类号 | B01J27/04(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J27/04(2006.01)I;C01B13/02(2006.01)I | 专利有效期 | 碳量子点负载的SnS2纳米片、其制备方法及应用 至碳量子点负载的SnS2纳米片、其制备方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种碳量子点负载的SnS2纳米片、其制备方法及应用，属于无机半导体纳米材料技术领域。本发明通过将SnS2纳米片浸入碳源的溶液中，然后用高温裂解法在SnS2纳米片表面生成C量子点，制备得到碳量子点负载的SnS2纳米片，生成的碳量子点负载的SnS2纳米片之间联络成纳米墙，C量子点大小5～20nm，利用C量子点附着的方法避免了光解水过程中的氧化腐蚀，同时提升了催化剂效率，以KIO3为牺牲剂，制氧速率到达了1.1mmol/g·h。本发明的方法具有制备工艺简单、操作方便、速度快以及绿色环保的优点，制备过程中不使用和产生毒性与腐蚀性的气体，具有广阔的应用前景。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障