| 专利名称 | 一种硅掺杂二氧化钛纳米线光电极的制备方法 | 申请号 | CN201610297937.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105967278A | 公开（授权）日 | 2016.09.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 赵惠军;陆阳;宋杰瑶;张勇;张海民;张云霞;汪国忠 | 主分类号 | C02F1/461(2006.01)I | IPC主分类号 | C02F1/461(2006.01)I;C02F1/30(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I;H01G9/042(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅掺杂二氧化钛纳米线光电极的制备方法 至一种硅掺杂二氧化钛纳米线光电极的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅掺杂二氧化钛纳米线光电极的制备方法，包括以下步骤：采用传统水热法在FTO导电玻璃基底上生长含硅的金红石二氧化钛纳米线阵列，从而制得含硅的二氧化钛纳米线光电极；采用气相水热法用硫化氢原位还原所述含硅的二氧化钛纳米线光电极；对还原后的含硅的二氧化钛纳米线光电极进行退火处理，从而制得硅掺杂二氧化钛纳米线光电极。本发明不仅制备工艺简单、设备成本和原料成本低廉、掺杂效果好，而且所制得的光电极具有优异的稳定性和光电子传输能力。 |
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