| 专利名称 | 聚二甲基硅氧烷的用途、荧光薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201610348819.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105968812A | 公开（授权）日 | 2016.09.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 郝鹏;冯宇祥;吴一辉 | 主分类号 | C08L83/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C08L83/04(2006.01)I;C08K5/01(2006.01)I;C08K5/3465(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I | 专利有效期 | 聚二甲基硅氧烷的用途、荧光薄膜及其制备方法 至聚二甲基硅氧烷的用途、荧光薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种聚二甲基硅氧烷在制备荧光薄膜中的应用。与现有技术相比，本发明以聚二甲基硅氧烷作为荧光染料的溶剂及成膜基质，聚二甲基硅氧烷的紫外透过率较好，可与融石英玻璃基片形成单层减反射膜结构，增加光谱的透过率，且聚二甲基硅氧烷化学性质稳定，在使用之前即为液态胶体，80℃加热一小时即可固化，因此在制备过程及成膜后都十分安全、稳定，同时也可长期保持荧光薄膜的特性。 |
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