| 专利名称 | 一种碳化硅双极结型晶体管 | 申请号 | CN201610488399.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105957886A | 公开（授权）日 | 2016.09.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 郭飞;申华军;汤益丹;张有润;白云;杨成樾;宋凌云;柏思宇;彭朝阳 | 主分类号 | H01L29/73(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/73(2006.01)I;H01L29/161(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碳化硅双极结型晶体管 至一种碳化硅双极结型晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种碳化硅双极结型晶体管，该晶体管在发射极(1)台面边缘与基极(2)欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构，从而在所述外基区表面形成肖特基势垒。所述肖特基接触结构包括一基区及位于所述基区上的一金属层。本发明的碳化硅双极结型晶体管能够通过该肖特基接触结构阻止电子向表面处运动，抑制表面复合，提高器件的电流增益。 |
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