| 专利名称 | 一种金属元素Mg掺杂的VO2薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201610417173.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN105937019A | 公开（授权）日 | 2016.09.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 王盼盼;章俞之;张云龙;彭明栋;吴岭南;宋力昕 | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种金属元素Mg掺杂的VO2薄膜及其制备方法 至一种金属元素Mg掺杂的VO2薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种金属元素Mg掺杂的VO2薄膜及其制备方法，所述金属元素Mg掺杂的VO2薄膜具有无规律分布的纳米气孔且主相为单斜相，晶面取向为（011）晶面，晶粒尺寸为90?nm～165?nm。本发明的有益效果是：将金属元素Mg均匀的掺入VO2薄膜内，得到的掺杂VO2薄膜表面有孔的产生，致密度减小，孔径大小随着Mg掺杂浓度的增加而减小，薄膜表面有孔产生，薄膜的致密度减小，且在可见?近红外波段的透过率增加，光的调制能力增强。 |
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