| 专利名称 | 场效应晶体管及存储记忆体 | 申请号 | CN201820870458.6 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN208444843U | 公开（授权）日 | 2019.01.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 戴明志 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I | 专利有效期 | 场效应晶体管及存储记忆体 至场效应晶体管及存储记忆体 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种场效应晶体管及存储记忆体。所述场效应晶体管包括源极、漏极、沟道区、第一栅极和至少一第二栅极，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述第一栅极设置在沟道区上，且所述第一栅极与沟道区之间设置有介质层，所述至少一个第二栅极与所述沟道区配合形成用以存储电荷的结。较之现有技术，本实用新型提供的场效应晶体管结构更为简单，占用空间更少，且制作工艺步骤简化，可以与现有的晶体管制作工艺兼容，成本低廉，并且可以实现单器件存储器，因此在计算机等领域有广泛的应用前景。 |
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