| 专利名称 | 一种硼掺杂三氧化二铁光电极的制备方法 | 申请号 | CN201710461659.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107326385A | 公开（授权）日 | 2017.11.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 赵进才;刘阿楠;章宇超;宋文静;车延科;马万红;陈春城;籍宏伟 | 主分类号 | C25B1/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C25B1/04(2006.01)I;C25B11/06(2006.01)I;C23C18/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硼掺杂三氧化二铁光电极的制备方法 至一种硼掺杂三氧化二铁光电极的制备方法 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硼掺杂的三氧化二铁光电极的制备方法，包含如下步骤：步骤(1):将三氯化铁、硝酸钠和去离子水混合，并将氟掺杂氧化锡(FTO)放入上述混合溶液中进行反应，得到表面沉积有β?FeOOH的FTO；步骤(2):将步骤(1)的表面沉积有β?FeOOH的FTO在硼砂溶液中浸泡后取出，在400?800℃下煅烧，得到表面沉积了硼掺杂三氧化二铁的FTO。本发明方法简单，易于操作，成本低廉，形貌均一，所得产品光电性能远优于常规光电极，在催化、光电催化水氧化等领域有较好的应用前景。并且应用本方法制备得到的光电极光生电子和空穴分离效率高，具有良好的光电催化活性，其水氧化光电流可达1.05mA/cm2。 |
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