| 专利名称 | 一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法 | 申请号 | CN201710304778.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN107146834A | 公开（授权）日 | 2017.09.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋禹忻;朱忠赟珅;李耀耀;韩奕;张振普;张立瑶;王庶民 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C09K11/66(2006.01)I | 专利有效期 | 一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法 至一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法，目的在于解决既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺的发光材料，其包括如下步骤：在单晶硅衬底上外延生长预制的过渡晶体单元，且顶层材料的晶格常数大于Ge材料；在所述预制的过渡晶体单元上外延生长Ge量子点；通过高温原位退火使离散的所述Ge量子点通过定向扩散汇聚成面内的Ge纳米线。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，实现了既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺。 |
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